·化合物半导体_爱发科真空技术（苏州）有限公司

溅射设备：CS-200z

在真空条件下，氩气在DC或RF作用下产生氩离子，高能的氩离子撞击靶材产生溅射。溅射出的原子或分子离开靶材，沉积在基板表面，形成薄膜。成膜种…

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刻蚀设备：NE-550EXz

在高真空条件下，通过RF高频放电，产生等离子体，在偏压的作用下，通过物理和化学的作用，对特定的材料去除。蚀刻材料：金属，GaN，In P，SiO2，Si …

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刻蚀设备：NE-5700

量产用刻蚀设备NE-5700是可以对应单腔及多腔、重视性价比拥有扩展性的刻蚀设备，注重性价比。

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PECVD：CC-200Cz

在真空条件下，通过射频放电，让气体活化发生化学反应，在基板表面沉积形成薄膜。成膜种类：SiO2，SiNx ，SiON。等离子增强型，膜质好，均匀性高，L…

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1.Batch式高真空蒸发设备ei系列是可对应在基板上成金属膜或氧化物膜的设备。可通过操作面板进行集中控制，实现抽真空、成膜等作业内容的集中自动…

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